使用GSL-1700X-SPC-2设备在Si片上蒸镀Cu,探索设备蒸镀膜厚大及小值。
实验过程:
图1设备 图2蒸发料
原料:铜段(蒸发料,铜导线内芯),Si基底(酒精超声清洗30min,后使用去离子水超声清洗30min,真空烘箱70℃烘干)。使用分子泵抽真空,待真空度到达100时,利用氮气对腔室进行洗气三至四次。洗气结束,待分子泵抽真空至10-4Torr,开始给炉子加热,升温曲线0.6℃/s,升温至相应温度,玻璃罩出现金属色后打开挡板蒸镀。
实验结果如下:
目的 | 组别 | 蒸镀条件 (温度、时间) | 镀膜前 | 镀膜后 | 膜厚 |
薄 | 1 | 1250℃、10s |
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2 | 1200℃、10s |
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3 | 1200℃、3s |
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厚 | 4 | 1200℃、60min |
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5 | 1200℃、30min |
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结论:
1、GSL-1700X-SPC-2设备在Si基底上镀Cu,薄(膜厚仪可检测)可蒸镀至14.8nm
2、GSL-1700X-SPC-2设备在Si基底上镀Cu,厚(起皮前)可蒸镀至37.72μm
特别声明:
1. 以上所有实验仅为初步探究,仅供参考。由于我们水平有限,错误疏漏之处欢迎指出,我们非常期待您的建议。
2. 欢迎您提出其他实验思路,我们来验证。
3. 以上实验案例及数据只针对科晶设备,不具有普遍性。
4. 因为涉及保密问题,以上数据仅为部分数据,欢迎老师与我们联系,我们非常期待和您共同探讨设备的应用技术。