薄膜沉积是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。这层膜可以有各种各样的材料,比如绝缘化合物二氧化硅,半导体多晶硅、金属铜等。用来镀膜的这个设备就叫薄膜沉积设备。
从半导体芯片制作工艺流程来说,位于前道工艺中。
薄膜制备工艺按照其成膜方法可分为两大类:物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD),其中CVD工艺设备占比更高。
物理气相沉积(PVD)指将材料源表面气化并通过低压气体/等离子体在基体表面沉积,包括蒸发、溅射、离子束等;
化学气相沉积(CVD)是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺,根据反应条件(压强、前驱体)的不同又分为常压CVD(APCVD)、低压CVD(LPCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)和原子层沉积(ALD)。