PECVD等离子体增强气相沉积技术的特点和三个工艺步骤介绍

更新时间：2024-12-06 点击次数：2447

PECVD等离子体增强气相沉积是一种应用广泛的薄膜沉积技术。在等离子体工艺过程中，气态前驱物在等离子体作用下发生离子化，形成激发态的活性基团，这些活性基团通过扩散到达衬底表面，进而发生化学反应，完成薄膜生长。

气相沉积是一种在基体表面形成功能膜层的技术，它是利用物质在气相中产生的物理或（及）化学反应而在产品表面沉积单层或多层的、单质或化合物的膜层，从而使产品表面获得所需的各种优异性能。

     PECVD等离子体增强气相沉积技术的特点：

    由CVD技术所形成的膜层致密且均匀，膜层与基体的结合牢固，薄膜成分易控，沉积速度快，膜层质量也很稳定，某些特殊膜层还具有优异的光学、热学和电学性能，因而易于实现批量生产。

    但是，CVD的沉积温度通常很高，在900℃～2000℃之间，容易引起零件变形和组织上的变化，从而降低机体材料的机械性能并削弱机体材料和镀层间的结合力，使基片的选择、沉积层或所得工件的质量都受到限制。

    目前，CVD技术正朝着中、低温和高真空两个方向发展，并与等离子体、激光、超声波等技术相结合，形成了许多新型的CVD技术。

    基本原理可分三个工艺步骤：

    （1）镀料的气化：即使镀料蒸发，异华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。

    （2）镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。

    （3）镀料原子、分子或离子在基体上沉积。