PECVD等离子体增强气相沉积是一款1200℃等离子增强混合物理化学气相沉积（HPCVD)双温区回转炉系统源（带自动匹配功能）、上游原位蒸发舟、4通道质子流量计控制系统及性能优异的真空泵组成。此于无机复合粉末的热处理及粉末表面的均匀包覆（如：制备锂离子电池阴极粉末的导电涂层等）。

CVD（ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积）是一种用于薄膜沉积的技术。它通过将气态化学前驱体反应成固态沉积物，在基材表面形成薄膜。CVD广泛应用于半导体制造、光伏设备、涂层和材料科学等领域。

双通道ALD上海添时科学仪器有限公司官网系统ALD-1200X-4是一款4英寸上海添时科学仪器有限公司官网系统，包含用于原子层沉积的2个ALD进气阀、1个精密液体气相发CVD生长纳米材料和薄膜材料的4通道质子流量计控制系统。该上海添时科学仪器有限公司官网系统简洁的设计使得更多的科担的低成本情况下实现ALD工艺实验。

GSL-1100X-III-D11是一款大面积双管石墨烯生长炉，其最高温度可以达到1100℃。特殊的双管设计，法在箔材上大面积生长材料（面积：~7000 cm^2，箔材缠绕在内管的外壁上）。一个送管装置可以外管内部或从外管中取出。此款设备特别适合大面积生长石墨烯和柔性电极材料。

1200℃等离子增强HPCVD回转炉系统，OTF-1200X-II-PEC4是一款1200℃等离子增强混合物理化学气相沉积（HPCVD)双温区回转炉系统源（带自动匹配功能）、上游原位蒸发舟、4通道质子流量计控制系统及性能优异的真空泵组成。此于无机复合粉末的热处理及粉末表面的均匀包覆（如：制备锂离子电池阴极粉末的导电涂层等）。

GSL-1700X-HVC是一款CE认证的二通道高真空CVD系统，它是由二路质子混气系统和高真空机组组度可达1600℃，极限真空度可达 to 10^-5 torr。混气系统可以对两种气体进行精确的混气，然后导