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PECVD等离子体增强气相沉积
简要描述:

PECVD等离子体增强气相沉积是一款1200℃等离子增强混合物理化学气相沉积(HPCVD)双温区回转炉系统源(带自动匹配功能)、上游原位蒸发舟、4通道质子流量计控制系统及性能优异的真空泵组成。此于无机复合粉末的热处理及粉末表面的均匀包覆(如:制备锂离子电池阴极粉末的导电涂层等)。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2024-12-04
  • 访  问  量:1272

详细介绍

    PECVD等离子体增强化学气相沉积是一种利用等离子体来促进气体反应的CVD技术。其特点包括:

    1、低温沉积:PECVD可以在较低的基材温度下进行,因为等离子体提供的能量能够促进气体反应,降低沉积温度的需求。

    2、高沉积速率:等离子体增强了气体反应速率,从而提高了薄膜沉积速率。

    3、良好的膜质量:PECVD沉积的薄膜通常具有较好的均匀性和较低的缺陷密度,适用于需要高质量薄膜的应用。

    4、适应性强:可以沉积多种材料,包括氧化物、氮化物和氟化物等,广泛应用于半导体、光电器件和保护涂层等领域。

    5、控制性好:通过调整等离子体的参数(如功率、气体流量和压力),可以精确控制薄膜的成分和性质。

    加热炉参数

    ▪最高温度:1200ºC(<30min),连续工作温度:1100℃;

    ▪两个PID温度控制器及30段可编程温控系统;

    ▪输入功率:208-240V,单相,最大功率:2.5KW;

    ▪高纯氧化铝纤维保温层可以最大限度降低能耗;

    ▪回转炉旋转速度:2-10rpm;

    ▪炉体开启式设计,以达到对样品快速降温,方便更换炉管。

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